大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于flash指的是什么存储器的问题，于是小编就整理了3个相关介绍的解答，让我们一起看看吧。
flash和fpga有什么区别？
flash是存储器，fpga是逻辑编程器
eeprom与FLASH的区别？
flash是用来存储代码的，在运行过程中不能改；EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EEPROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00
两者都是非易失性存储器
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
一般来说eeprom中存放开机是用到的参数，不可丢失的变量等，而FLASH中会存放程序，记录文件等。
eeprom和flash的区别？
单就这个问题回答，是不行的，但有些地方是可以替换的。这里就要提到Flash与eeprom的区别了：
1、擦写次数：eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制的，若要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和写一次都算一次操作，但操作次数可以到10的12次方级别，基本可以认为是无限。
2、擦写方式：flash是不能单字节擦写的，eeprom可以，flash的最小擦写单位通常为一个sector，大小根据不同芯片不同。如果产品满足上述两条flash的要求（产品周期内的擦写次数较少、擦写时有足够的缓存），在这样的产品中完全可以用flash来替换eeprom，否则不行。另外，前面提到的FRAM（铁电），除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。具体型号如：FM24C04（IIC接口，4kbit）
1. EEPROM和Flash都是非易失性存储器，可以保存数据即使断电。
2. EEPROM是逐字节擦除和写入的，因此擦除和写入的速度较慢，但对于小量数据的读写操作比较方便。
3. Flash是按块擦除和写入的，因此速度较快，但需要先擦除整个块，再写入数据，对于大量数据的读写操作比较方便。
4. 另外，Flash的存储密度比EEPROM高，因此在存储器容量要求较大的场合下，Flash更为适用。
5. 总之，EEPROM适用于小量数据的读写操作，而Flash适用于大量数据的读写操作和高存储密度的场合。
1 在于它们的擦除和编程方式不同。
2 eeprom可以通过电子擦除和编程方式进行操作，而flash则需要采用全片擦除或者扇区擦除的方式进行擦除操作，编程方式也需要采用不同的算法进行操作。
3 此外，eeprom的擦写次数相对于flash较少，但读取速度更快，适用于存储数据量较少但需要频繁读取的应用场景；而flash适用于存储数据量较大的应用场景，但需要较长的擦写时间。
4 总之，eeprom和flash各有其优缺点，需要根据具体应用场景来选择使用。
到此，以上就是小编对于flash指的是什么存储器类型的问题就介绍到这了，希望介绍的3点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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