大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于sem测试是什么的问题，于是小编就整理了3个相关介绍的解答，让我们一起看看吧。
SD与SEM有区别吗？
SD是标准偏差，反映的是样本变量值的离散程度。SEM是标准误差，反映的是样本均数之间的变异。
SD为样本标准差 ，根据标准差SD能反映变量值的离散程度 。正负值就是在计算好的SD上加个正负号， 表示在这个范围内波动；在平均值上加上或者减去这个数字，都认为在正常范围内 。
标准差的统计学常用符号为s，医学期刊常用SD表示。标准差是一个极为重要的离散度指标，常用于表示变量分布的离散程度 。对于一组变量，只用平均数来描写其集中趋势是不全面的，还需要用标准差来描写其离散趋势。标准差用公式表示为:s= ∑（x-ˉx） 2 n-1由上式可见，标准差的基本内容是离均差，即（x-ˉx）。它说明一组变量值（x）与其算术均数（ˉx）的距离，故能描述变异大小。s小表示个体间变异小，即变量值分布较集中、整齐;s大表示个体间变异大，即各变量值分布较分散。
SEM是样品标准差，即样本均数的标准差，是描述均数抽样分布的离散程度及衡量均数抽样误差大小的尺度，反映的是样本均数之间的变异。标准误用来衡量抽样误差。标准误越小，表明样本统计量与总体参数的值越接近，样本对总体越有代表性，用样本统计量推断总体参数的可靠度越大。因此，标准误是统计推断可靠性的指标。
sem能谱技术？
SEM能谱一般只能测C（含C）以后的元素，（B元素也能做，但是不准，不建议做）如果需要打能谱，需要备注好测试位置以及能谱打哪些元素，需要注意的是制样时待测元素不能与基底成分有重合，如果要测C元素，样品不要分散到含C的基底上，可以分散到硅片，锡纸上，如果要测Si元素，注意不要制样到硅片上。
SEM与TEM的区别？
SEM和TEM都是电子显微镜的类型，它们的区别在于成像原理和应用范围。SEM是扫描电子显微镜，利用电子束扫描样品表面，通过检测电子的反射和散射来获得样品表面的形貌和成分信息，适用于表面形貌和微观结构的研究。
而TEM是透射电子显微镜，利用电子束穿过样品，通过检测电子的透射和衍射来获得样品内部的结构和成分信息，适用于材料的晶体结构和纳米级别的结构研究。
一、性质不同
1、SEM：根据用户使用搜索引擎的方式利用用户检索信息的机会尽可能将营销信息传递给目标用户。
2、TEM：把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的原子碰撞而改变方向，从而产生立体角散射。
二、原理不同
1、TEM
（1）吸收像：当电子被发射到高质量和高密度的样品时，主要的相位形成是散射。当样品的质量和厚度较大时，电子的散射角较大，通过的电子较小，图像的亮度较暗。早期透射电子显微镜（TEM）就是基于这一原理。
（2）衍射像：电子束被样品衍射后，样品不同位置的衍射波振幅分布对应于样品中晶体各部分的不同衍射能力。当出现晶体缺陷时，缺陷部分的衍射能力与整个区域的衍射能力不同，使得衍射波的振幅分布不均匀，反映了晶体缺陷的分布。
2、SEM
（1）用户搜索；
（2）返回结果；
透射电镜（TEM）的放大倍数要比扫描电镜（SEM）的高,当然两则的成像原理也是不同的，如果需要观察纳米颗粒在聚合物中的分散情况，你就必须要用TEM来观察了，SEM通常看材料的缺口断面，当然还有许多其他应用。 SEM是电子束激发出表面次级电子,而TEM是穿透试样,而电子束穿透能力很弱,所以TEM样品要求很薄,只有几十nm, TEM一般放大能达几百w倍,而SEM只有几万倍. 扫描电镜通常用在一些断口观察分析,外加一个能谱仪,可以进行能谱扫描.其放大倍数相对较低,操作方便,样品制作简单,对于高聚物,须进行喷金处理 TEM则可以观看样品的内部结构,粒子的分散等.其放大倍数高于SEM,但也不是绝对,现在有些扫描电镜的放大倍数也可以很高.其操作较复杂,样品制作也较为烦琐
到此，以上就是小编对于sem测试是什么意思的问题就介绍到这了，希望介绍的3点解答对大家有用。
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