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内存超频时序设置参数介绍?tref温度是什么

大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于tref温度是什么的问题,于是小编就整理了3个相关介绍的解答,让我们一起看看吧。
  1. 内存超频时序设置参数介绍?
  2. 塑料熔脂数计算公式?
  3. 热电偶测量计算公式?

内存超频时序设置参数介绍?


1. 在超频过程中,设置适当的时序参数可以有效提高内存速度,但若超频过度会导致系统稳定性问题。
2. 时序参数包括CAS、RAS、tRP等。
其中,CAS(Column Access Strobe)表示列存储器的访问时间,RAS(Row Access Strobe)表示行存储器的访问时间,tRP(Row Precharge Time)表示行预充电时间。
3. 进一步延伸,不同型号内存的时序参数可能不同,超频时应根据实际情况设置适当的时序参数,并在稳定性测试后再进行调整。
同时,在超频前应注意散热,保证内存温度不超过安全范围,以避免加速内存老化。

内存超频时序设置参数介绍?tref温度是什么-图1

1、ddr4内存时序参数3200(16)8G×16,CL 16-16-16 1.35V为好,默认DDR4 2133,1.2V,加载XMP可以直接提升频率为DDR4 3200 16-16-16-36 2T,高频下的电压为1.35V;

2、ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序,首先应该从调整第二时序入手,放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率;ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同,第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大;ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大,可以适当放宽以提高超频后的稳定性,tRRD对性能的影响则比较大,尽量避免牺牲tRRD来换取高频;第三时序虽然不起眼而且经常被遗忘,但是其对性能的影响也不小,不建议牺牲第三时序来换取高频,尤其是tRDRD和tWRWR;

塑料熔脂数计算公式?

公式表示:MFR(θ、mnom )

内存超频时序设置参数介绍?tref温度是什么-图2

=tref .m/t

式中: θ—— 试验温度

mnom— 标称负荷Kg

内存超频时序设置参数介绍?tref温度是什么-图3

m —— 切断的平均质量g

tref —— 参比时间(10min), S ( 600s )

t —— 切断的时间间隔s

熔融指数,全称熔液流动指数,或熔体流动指数,是一种表示塑胶材料加工时的流动性的数值。它是美国量测标准协会(ASTM)根据美国杜邦公司(DuPont)惯用的鉴定塑料特性的方法制定而成,其测试方法是:

热电偶测量计算公式?

TC热电偶的公式为:TMC=Tref+a (T-Tref)。

其中,

TMC为热电偶测量的温度;

Tref为参考温度;

a为特定温度范围内,热电偶材料的热电偶系数;

T为实际温度。

到此,以上就是小编对于tempretrue温度的问题就介绍到这了,希望介绍的3点解答对大家有用,有任何问题和不懂的,欢迎各位老师在评论区讨论,给我留言。

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